Titelaufnahme

Titel
Effects of Carbon doping on AlGaN/GaN high electron mobility transistors for power applications / submitted by DI (FH) Martin Huber
VerfasserHuber, Martin
Begutachter / BegutachterinBonanni, Alberta ; Hingerl, Kurt
ErschienenLinz, 2017
Umfangxvii, 184 Blätter : Illustrationen
HochschulschriftUniversität Linz, Dissertation, 2017
Anmerkung
Zusammenfassung in deutscher Sprache
SpracheEnglisch
Bibl. ReferenzOeBB
DokumenttypDissertation
Schlagwörter (DE)GaN / MOVPE / AlGaN / Kohlenstoff / Dotierung / HEMT / SIMS / PAS / PL / APT
Schlagwörter (EN)GaN / MOVPE / AlGaN / Carbon / Doping / HEMT / SIMS / PAS / PL / APT
Schlagwörter (GND)Transistor / Elektronenbeweglichkeit / Kohlenstoff / Dotierung / MOCVD-Verfahren
Zugriffsbeschränkung
 Das Werk ist gemäß den "Hinweisen für BenützerInnen" verfügbar ab dem 1.4.2022
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Klassifikation